O MOSFET é outro tipo de transistor de efeito de campo. Muito mais usado do que o JFET e é o componente mais importante nos computadores digitais.
Este é o link para acessar o post sobre o transistor de efeito de campo de junção.
Estrutura
Além dos 3 terminais: porta (Gate), fonte (Source) e dreno (Drain), o MOSFET tem o terminal de corpo (Body). Em alguns transistores, o corpo fica ligado à fonte.
O MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) tem este nome devido ao pequeno filme isolante de óxido de silício (SiO_{2}), colocado entre o material condutor na porta e o substrato. O condutor é feito de silício policristalino ou polisilício e dopado com alto grau de impureza.
Devido à camada isolante de SiO_{2}, a impedância de entrada deste dispositivo é maior do que o do JFET.
Tipos de MOSFETs e funcionamento
Além dos tipos n e p, os MOSFETs podem ser divididos em outras duas categorias: tipo intensificação ou depleção. Estes possuem diferentes modos de operação.
MOSFET tipo intensificação ou E-MOSFET
Se aplicar uma diferença de potencial entre a fonte e o dreno, não haverá circulação de corrente no MOSFET. Porque há junções p-n e uma delas estará na polarização reversa, bloqueando a corrente. O polisilício da porta, o óxido e o semicondutor formam um capacitor MOS, que gera um campo elétrico quando o MOSFET recebe um potencial positivo na porta, se for um nMOS.
Devido ao canal induzido, haverá circulação de corrente entre o dreno e a fonte. Se fosse um pMOS, as polaridades de V_{GS} e V_{DS} teriam que ser invertidas.
A relação entre a corrente de dreno (I_{D}) e V_{GS}.
I_{D}=k(V_{GS}-V_{T})^2
Onde k é uma constante relacionada com a construção do componente. Pode ser calculado da seguinte forma:
k=\frac{I_{D(ON)}}{\left (V_{GS(ON)}-V_{T} \right )^{2}}
I_{D(ON)} e V_{GS(ON)} podem ser encontrados no datasheet do transistor.MOSFET tipo depleção ou D-MOSFET
Apesar do nome, pode funcionar nos modos de depleção ou intensificação. Depende da tensão V_{GS}. Quando não há potencial na porta e uma tensão entre o dreno e a fonte, a corrente I_{DSS} circula pelo canal.
Se o potencial na porta for positivo, elétrons são atraídos e lacunas se afastarão. Fazendo com que o canal se expanda, aumentando a corrente até um limite determinado pelo V_{GS}. Deve-se observar a corrente máxima de dreno que o componente suporta.
